3D NAND闪存技术将持续向低成本、高密度、高性能、高可靠性的方向发展，成为未来人工智能时代的存力底座。 近日，长江存储霍宗亮、夏志良、陈南翔在中国科学发布题为《3D NAND 闪存技术的演进趋势与挑战》的论文。二维闪存技术自问世以来经历了三十余年的 ...

随着数据中心、人工智能、高性能计算（HPC）和智能手机存储需求的持续增长，NAND 闪存作为核心存储介质，其容量、性能和可靠性要求不断提升。传统的平面 NAND（Planar NAND）受限于晶体管密度和干扰问题，工艺发展逐渐接近物理极限。为了突破密度瓶颈，3D NAND ...

IT之家 2 月 12 日消息，在昨日开幕的 SEMICON Korea 2026 半导体展会上，SK 海力士副总裁이성훈 (Lee Sunghoon) 介绍了该公司正在探索的一系列先进存储技术，其中就包括 NAND 端的 AIP (All-in-Plug)。 3D NAND 闪存的各层间需要以细长垂直孔道连接，但目前的 HARC 高纵横比接触 ...

3D NAND flash memory has enabled a new generation of non-volatile solid-state storage useful in nearly every electronic device imaginable. 3D NAND can achieve data densities exceeding those of 2D NAND ...

边缘端与云端存储需求的增长，正推动多类应用对更高容量闪存的需求持续攀升。 3D 闪存的技术迭代周期为12至18个月，其 ...

SK海力士AIP技术实现单次蚀刻数百层3D NAND，提升生产效率并降低成本，突破现有工艺限制。了解V11 NAND最新进展！ 2 月 12 日消息，在昨日开幕的 SEMICON Korea 2026 半导体展会上，SK 海力士副总裁이성훈 (Lee Sunghoon) 介绍了该公司正在探索的一系列先进存储技术，其中 ...

SK海力士宣布将采用321层QLC格式3D NAND技术，为AI服务器生产超大容量、高性能SSD产品。 SK海力士开始量产321层QLC 2Tb芯片，这是全球首个采用QLC技术实现超过300层的产品。假设客户验证顺利，该产品将于2026年上半年开始出货。新产品采用6平面设计，相比目前的4 ...

Data-intensive computing applications such as pattern recognition, video processing, database engine and network router have drastically increased due to the rapid development of big data and ...

3D NAND suppliers are accelerating their efforts to move to the next technology nodes in a race against growing competition, but all of these vendors are facing an assortment of new business, ...

SanDisk and Toshiba announced today that they are manufacturing 256Gbit (32GB), 3-bit-per-cell (X3) 48-layer 3D NAND flash chips that offer twice the capacity of the next densest memory. The two NAND ...

‘The ability to store upwards of 20 to 30 hours of HD video on what equates to the size of a pinky fingernail is what you can do with our 176-layer technology. Additionally, the capability exists to ...